XP151A13A0MR. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: XP151A13A0MR
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для XP151A13A0MR
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
XP151A13A0MR даташит
xp151a13a0mr.pdf
Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd N-Channel Power MOS FET Applications Notebook PCs DMOS Structure Cellular and portable phones Low On-State Resistance 0.1 (max) On - board power supplies Ultra High-Speed Switching Li - ion battery systems Gate Protect Diode Built-in
xp151a13a0mr-g.pdf
Product specification XP151A13A0MR-G Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP151A13A0MR-G is an N-channel Power MOSFET with low on state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. In order to counter static, a gate protect diode is built-in. The small SOT-23 package m
xp151a13a0mr-g.pdf
XP151A13A0MR-G ETR1119_003 Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP151A13A0MR-G is an N-channel Power MOSFET with low on state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. In order to counter static, a gate protect diode is built-in. The small SOT-23 package makes high
xp151a13comr.pdf
XP151A13COMR 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 3.6A 85m RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 2.0A 115m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D G S SOT-23(PACKAGE) Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 2.70 3.10 G 1.90 REF. B 2.40 2.80 H
Другие MOSFET... QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 , WNM2034 , XP151A11B0MR , XP151A12A2MR , STP65NF06 , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F .
History: 2N65G-TMS-T
History: 2N65G-TMS-T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733




