XP151A13A0MR - описание и поиск аналогов

 

XP151A13A0MR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: XP151A13A0MR

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для XP151A13A0MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

XP151A13A0MR даташит

 ..1. Size:358K  shenzhen
xp151a13a0mr.pdfpdf_icon

XP151A13A0MR

Shenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co., Ltd N-Channel Power MOS FET Applications Notebook PCs DMOS Structure Cellular and portable phones Low On-State Resistance 0.1 (max) On - board power supplies Ultra High-Speed Switching Li - ion battery systems Gate Protect Diode Built-in

 0.1. Size:95K  tysemi
xp151a13a0mr-g.pdfpdf_icon

XP151A13A0MR

Product specification XP151A13A0MR-G Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP151A13A0MR-G is an N-channel Power MOSFET with low on state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. In order to counter static, a gate protect diode is built-in. The small SOT-23 package m

 0.2. Size:306K  torex
xp151a13a0mr-g.pdfpdf_icon

XP151A13A0MR

XP151A13A0MR-G ETR1119_003 Power MOSFET GENERAL DESCRIPTION The XP151A13A0MR-G is an N-channel Power MOSFET with low on state resistance and ultra high-speed switching characteristics. Because high-speed switching is possible, the IC can be efficiently set thereby saving energy. In order to counter static, a gate protect diode is built-in. The small SOT-23 package makes high

 6.1. Size:2261K  htsemi
xp151a13comr.pdfpdf_icon

XP151A13A0MR

XP151A13COMR 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET VDS= 20V RDS(ON), Vgs@ 4.5V, Ids@ 3.6A 85m RDS(ON), Vgs@ 2.5V, Ids@ 2.0A 115m Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Package Dimensions D G S SOT-23(PACKAGE) Millimeter Millimeter REF. REF. Min. Max. Min. Max. A 2.70 3.10 G 1.90 REF. B 2.40 2.80 H

Другие MOSFET... QM3001K , QM3007K , WNM2023 , WNM2025 , WNM2027 , WNM2034 , XP151A11B0MR , XP151A12A2MR , STP65NF06 , XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F .

History: 2N65G-TMS-T

 

 

 

 

↑ Back to Top
.