CM10N65AFZ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM10N65AFZ
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
Тип корпуса: TO220FH
Аналог (замена) для CM10N65AFZ
CM10N65AFZ Datasheet (PDF)
cm10n65afz.pdf

RCM10N65AFZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 1
cm10n65az.pdf

RCM10N65AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2
cm10n65f.pdf

RCM10N65F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE2 12
cm10n60afz.pdf

RC1N0FM06AZ www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1LDE21 2
Другие MOSFET... XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , EMB04N03H , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 .
History: LNG03R031 | S-LBSS260DW1T1G
History: LNG03R031 | S-LBSS260DW1T1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent