CM10N65AFZ - описание и поиск аналогов

 

CM10N65AFZ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CM10N65AFZ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220FH

Аналог (замена) для CM10N65AFZ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM10N65AFZ даташит

 ..1. Size:125K  jdsemi
 cm10n65afz.pdf pdf_icon

CM10N65AFZ

 6.1. Size:122K  jdsemi
 cm10n65az.pdf pdf_icon

CM10N65AFZ

R CM10N65AZ www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 650V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2

 7.1. Size:125K  jdsemi
 cm10n65f.pdf pdf_icon

CM10N65AFZ

 8.1. Size:124K  jdsemi
 cm10n60afz.pdf pdf_icon

CM10N65AFZ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... XP152A11E5MR , XP152A12C0MR , CM100N03 , CM10N40 , CM10N60 , CM10N60AFZ , CM10N60AZ , CM10N60F , AON7403 , CM10N65AZ , CM10N65F , CM10N80P , CM110N055 , CM120N06 , CM12N60A , CM12N60AF , CM12N65 .

History: AGM402D | TPM2008EP3 | SGS150MA010D1 | SGSP321 | AGM60P85AP | STT3463P | FTP18N06

 

 

 

 

↑ Back to Top
.