CM1N60 - описание и поиск аналогов

 

CM1N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CM1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10.5 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для CM1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM1N60 даташит

 ..1. Size:120K  jdsemi
cm1n60.pdfpdf_icon

CM1N60

 0.1. Size:141K  jdsemi
cm1n60s.pdfpdf_icon

CM1N60

R CM1N60S www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 0.2. Size:123K  jdsemi
cm1n60c.pdfpdf_icon

CM1N60

R C16C MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3 TO-251 4

Другие MOSFET... CM13N50 , CM13N50F , CM140N04 , CM15N50 , CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P , 1D5N60 , IRFZ44 , CM1N60C , CM1N60S , CM1N70 , CM20N50 , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 .

History: DMP2225L | MSF10N65 | STS3417 | TK5A60W | AOD407 | IRF8308MTRPBF | IXFQ50N50P3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.