CM20N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM20N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для CM20N50
CM20N50 Datasheet (PDF)
cm20n50.pdf

RCM20N50 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3
cm20n50f.pdf

RCM20N50F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 23
cm20n50pz.pdf

RC2N0ZM05P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 121 2 33
cm20n50p.pdf

RCM20N50P www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 500V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 1 2 33
Другие MOSFET... CM18N20 , CM18N50F , CM18N50P , 1D5N60 , CM1N60 , CM1N60C , CM1N60S , CM1N70 , IRF640N , CM20N50F , CM20N50P , CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , CM20N60P , CM220N04 , CM25N06 .
History: AP3N018EYT | IPP08CNE8NG
History: AP3N018EYT | IPP08CNE8NG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750 | tip117 | 2n3643