CM2N60F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM2N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 24 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
Тип корпуса: TO220FL
Аналог (замена) для CM2N60F
CM2N60F Datasheet (PDF)
cm2n60f.pdf

RCM2N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60.pdf

RCM2N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60c to251.pdf

RCM2N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm2n60c.pdf

RCM2N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 2LDP E C122
Другие MOSFET... CM20N50PZ , CM20N60 , CM20N60F , CM20N60P , CM220N04 , CM25N06 , CM2N60 , CM2N60C , IRF630 , CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 .
History: NCE2004NE | STI19NM65N | MTP23P06V | VBZM13N50 | 2SJ473-01L | TMP10N80 | SI4850EY
History: NCE2004NE | STI19NM65N | MTP23P06V | VBZM13N50 | 2SJ473-01L | TMP10N80 | SI4850EY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet