Справочник MOSFET. CM4N60C

 

CM4N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CM4N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO251 TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM4N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  jdsemi
 cm4n60c.pdf pdf_icon

CM4N60C

RCM4N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 ..2. Size:144K  jdsemi
 cm4n60c to251.pdf pdf_icon

CM4N60C

RCM4N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 8.1. Size:128K  jdsemi
 cm4n60f.pdf pdf_icon

CM4N60C

RCM4N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 1 23

 8.2. Size:145K  jdsemi
 cm4n60.pdf pdf_icon

CM4N60C

RCM4N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , IRF1010E , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , CM50N06 , CM55N06 , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F .

History: IXFN27N80

 

 
Back to Top

 


 
.