CM4N60C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CM4N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO251 TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CM4N60C Datasheet (PDF)
cm4n60c.pdf

RCM4N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm4n60c to251.pdf

RCM4N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm4n60f.pdf

RCM4N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 1 23
cm4n60.pdf

RCM4N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
Другие MOSFET... CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , IRF4905 , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , CM50N06 , CM55N06 , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F .
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m