CM4N60C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CM4N60C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO251 TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CM4N60C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM4N60C даташит

 ..1. Size:144K  jdsemi
 cm4n60c.pdf pdf_icon

CM4N60C

R CM4N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 ..2. Size:144K  jdsemi
 cm4n60c to251.pdf pdf_icon

CM4N60C

R CM4N60C www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS

 8.1. Size:128K  jdsemi
 cm4n60f.pdf pdf_icon

CM4N60C

 8.2. Size:145K  jdsemi
 cm4n60.pdf pdf_icon

CM4N60C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CM2N65C, CM2N65F, CM2N80C, CM2N80F, CM30N40PZ, CM3N50C, CM40N20, CM4N60, IRF9540N, CM4N60F, CM4N65C, CM4N65F, CM50N06, CM55N06, CM5N50, CM5N50C, CM5N50F