CM4N60C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM4N60C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
Тип корпуса: TO251 TO252
Аналог (замена) для CM4N60C
CM4N60C Datasheet (PDF)
cm4n60c.pdf
RCM4N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm4n60c to251.pdf
RCM4N60C www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
cm4n60f.pdf
RCM4N60F www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 1 23
cm4n60.pdf
RCM4N60 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS
Другие MOSFET... CM2N65C , CM2N65F , CM2N80C , CM2N80F , CM30N40PZ , CM3N50C , CM40N20 , CM4N60 , K4145 , CM4N60F , CM4N65C , CM4N65F , CM50N06 , CM55N06 , CM5N50 , CM5N50C , CM5N50F .
History: FDD26AN06A0_F085 | UTT36N10 | 4N60KL-TF2-T | TSM4N60CI | TK18E10K3
History: FDD26AN06A0_F085 | UTT36N10 | 4N60KL-TF2-T | TSM4N60CI | TK18E10K3
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP60P02D | AP60N06F | AP60N04NF | AP60N04DF | AP60N04D | AP60N03Y | AP60N03NF | AP60N03DF | AP60N03D | AP60N02NF | AP60N02DF | AP60N02D | AP5P06MSI | AP5P04MI | AP40P04NF | AP40P04DF
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m







