CM6N60F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CM6N60F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO220FH

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CM6N60F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CM6N60F даташит

 ..1. Size:125K  jdsemi
 cm6n60f.pdf pdf_icon

CM6N60F

 8.1. Size:123K  jdsemi
 cm6n60.pdf pdf_icon

CM6N60F

R C66 MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LD E 2 3

Другие IGBT... CM5N50C, CM5N50F, CM5N80F, CM60N03, CM60N03C, CM6N40, CM6N40C, CM6N60, IRFB3607, CM7N60, CM7N60F, CM7N65F, CM84N06, CM8N06C, CM8N50, CM8N50F, CM8N60