CM6N60F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: CM6N60F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
Тип корпуса: TO220FH
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
CM6N60F Datasheet (PDF)
..1. Size:125K jdsemi
cm6n60f.pdf
cm6n60f.pdf
RC66FMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 21 2 3
8.1. Size:123K jdsemi
cm6n60.pdf
cm6n60.pdf
RC66MN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 600V N-Channel VDMOS RoHS 1 LDE 2 3
Другие MOSFET... CM5N50C , CM5N50F , CM5N80F , CM60N03 , CM60N03C , CM6N40 , CM6N40C , CM6N60 , CS150N03A8 , CM7N60 , CM7N60F , CM7N65F , CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 .
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
History: NVTFS002N04C | SI9945BDY
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
irfb3607 datasheet | 2n2907 equivalent | c2026 | mpsa56 transistor equivalent | 13009 transistor | irf3205 equivalent | ksa992 transistor | 2n2926