Справочник MOSFET. CM8N60

 

CM8N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CM8N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO220A

Аналог (замена) для CM8N60

 

 

CM8N60 Datasheet (PDF)

1.1. cm8n60.pdf Size:122K _jdsemi

CM8N60 CM8N60

R CM8N60 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 通态电阻小，输入电容小 3

1.2. cm8n60f.pdf Size:126K _jdsemi

CM8N60 CM8N60

R CM8N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 1 通态电阻小，输入电容小

 5.1. cm8n65f.pdf Size:147K _jdsemi

CM8N60 CM8N60

R CM8N65F 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆650V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top