Справочник MOSFET. CM8N60

 

CM8N60 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CM8N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm

Тип корпуса: TO220A

Аналог (замена) для CM8N60

 

 

CM8N60 Datasheet (PDF)

1.1. cm8n60f.pdf Size:126K _jdsemi

CM8N60 CM8N60

R CM8N60F 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 1 通态电阻小，输入电容小

1.2. cm8n60.pdf Size:122K _jdsemi

CM8N60 CM8N60

R CM8N60 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆600V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等环保指令要求 1．主要用途 主要用于充电器、LD驱动、电源适配器 E 等各类功率开关电路 2．主要特点 开关速度快 通态电阻小，输入电容小 3

 5.1. cm8n65f.pdf Size:147K _jdsemi

CM8N60 CM8N60

R CM8N65F 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 深圳市晶导电子有限公司 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET ◆650V N-Channel VDMOS ◆使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 使用及贮存时需防静电 ◆符合 RoHS 等

Другие MOSFET... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
Back to Top