CM8N80F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CM8N80F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.25 Ohm
Тип корпуса: TO220FH
Аналог (замена) для CM8N80F
CM8N80F Datasheet (PDF)
cm8n80f.pdf
RC88FMN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 12 1 23
cm8n80 to220a.pdf
RC88MN0 www.jdsemi.cnShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 800V N-Channel VDMOS RoHS 12 3
Другие MOSFET... CM84N06 , CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , CM8N80 , IRFP250 , CM9N20 , CM9N90PZ , CS100N08A8 , CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR .
History: CS12N65FA9R | CS12N70A8H | CMN2305M
History: CS12N65FA9R | CS12N70A8H | CMN2305M
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor



