CM9N20. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CM9N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO220A
Аналог (замена) для CM9N20
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CM9N20 даташит
cm9n20.pdf
R C92 MN0 www.jdsemi.cn ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. POWER MOSFET 200V N-Channel VDMOS RoHS 1 2 3 TO-220A 4
Другие MOSFET... CM8N06C , CM8N50 , CM8N50F , CM8N60 , CM8N60F , CM8N65F , CM8N80 , CM8N80F , IRF1407 , CM9N90PZ , CS100N08A8 , CS100N03B8 , CS100N03FB9 , CS10N50A8R , CS10N50FA9R , IRLR9343TR , CS10N60A8R .
History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352
History: TN0106 | FDMS3604AS | FDMS5352
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419