Справочник MOSFET. CS12N65A8R

 

CS12N65A8R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS12N65A8R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для CS12N65A8R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS12N65A8R Datasheet (PDF)

 5.1. Size:346K  wuxi china
cs12n65a8h.pdfpdf_icon

CS12N65A8R

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS12N65 A8H VDSS 650 V General Description ID 12 A CS12N65 A8H, the silicon N-channel Enhanced PD (TC=25) 140 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 0.54 Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various p

 7.1. Size:1140K  1
jcs12n65t.pdfpdf_icon

CS12N65A8R

N RN-CHANNEL MOSFETJCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson@Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 7.2. Size:1489K  jilin sino
jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdfpdf_icon

CS12N65A8R

N RN-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

 7.3. Size:1410K  jilin sino
jcs12n65bt jcs12n65st jcs12n65ct jcs12n65ft.pdfpdf_icon

CS12N65A8R

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 650 V Rdson-max 0.78 @Vgs=10V Qg-typ 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

Другие MOSFET... CS7N65FA9D , VBA3316 , VBA3222 , CS12N60A8R , CS6N80ARR-G , VBA2658 , CS12N60FA9R , VBA2333 , 8N60 , CS5N65FA9R , CS12N65FA9R , CS12N70A8H , CS13N50A8D , VBA2311 , CS13N50A8R , CS13N50FA9D , CS5N60FA9HD .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT | 2SK1280 | CHM5813ESQ2GP | RQ6E035AT

 

 
Back to Top

 


 
.