Справочник MOSFET. CS55N06A4

 

CS55N06A4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS55N06A4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для CS55N06A4

 

 

CS55N06A4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2056K  wuxi china
 cs55n06a4.pdf

CS55N06A4 CS55N06A4

Silicon N-Channel Power Trench MOSFET R CS55N06 A4 General Description VDSS 60 V CS55N06 A4, the silicon N-channel Enhanced ID 55 A RDS(ON)Typ 10 m VDMOSFETs, is obtained by the high density Trenchtechnology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circ

 9.1. Size:104K  china
 cs55n10.pdf

CS55N06A4

CS55N10 N PD TC=25 250 W 2 W/ ID VGS=10V,TC=25 55 A VGS 20 V Tjm +150 Tstg -55 +150 RthJC 0.5 /W BVDSS VGS=0V,ID=5mA 100 V RDS on VGS=10V,ID=27.5A 0.04 VGS th VDS=VGS,ID=1mA 2.0 4.5 V

 9.2. Size:1086K  wuxi china
 cs55n25akr.pdf

CS55N06A4 CS55N06A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS55N25 AKR General Description VDSS 250 V CS55N25 AKR the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD (TC=25) 300 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 69 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various powe

 9.3. Size:470K  wuxi china
 cs55n25a8r-g.pdf

CS55N06A4 CS55N06A4

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS55N25 A8R-G General Description VDSS 250 V CS55N25 A8R-G the silicon N-channel Enhanced ID 55 A PD (TC=25) 300 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 69 m which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top