Справочник MOSFET. SI2318DS-T1-GE3

 

SI2318DS-T1-GE3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI2318DS-T1-GE3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SI2318DS-T1-GE3

 

 

SI2318DS-T1-GE3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:848K  cn vbsemi
 si2318ds-t1-ge3.pdf

SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3

SI2318DS-T1-GE3www.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT

 5.1. Size:1451K  kexin
 si2318ds-3.pdf

SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2318DS (KI2318DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 40V ID = 3.9 A (VGS = 10V)1 2 RDS(ON) 45m (VGS = 10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 58m (VGS = 4.5V)+0.11.9 -0.21. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Paramet

 6.1. Size:185K  vishay
 si2318ds.pdf

SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3

Si2318DSVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.045 at VGS = 10 V 3.9 TrenchFET Power MOSFET400.058 at VGS = 4.5 V 3.5APPLICATIONS Stepper Motors Load SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewSi2318DS( C8)**Marking CodeOrdering

 6.2. Size:1447K  kexin
 si2318ds.pdf

SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2318DS (KI2318DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) = 40V ID = 3.9 A (VGS = 10V) RDS(ON) 45m (VGS = 10V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 RDS(ON) 58m (VGS = 4.5V) 0.1-0.01+0.11.9 -0.11. Gate2. Source3. DrainG 13 DS 2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Sy

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top