SI3585DV-T1 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI3585DV-T1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.15 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 0.6(min) V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 2.1 nC
Время нарастания (tr): 9 ns
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
Аналог (замена) для SI3585DV-T1
SI3585DV-T1 Datasheet (PDF)
si3585dv-t1.pdf
SI3585DV-T1www.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 a
si3585cdv.pdf
Si3585CDVVishay SiliconixN- and P-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) () Max. ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.058 at VGS = 4.5 V 3.9 Material categorization:N-Channel 20 2.9 nCFor definitions of compliance please see 0.078 at VGS = 2.5 V 3.3www.vishay.com/doc?999120.195 at VGS = - 4.5 V - 2.1P
si3585cdv.pdf
SI3585CDVwww.VBsemi.twN- and P-Channel 2 V (D-S) MOSFET0 FEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.024 at VGS = 10 V 5.5 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 200.036 at VGS = 4.5 V 4.2 100 % Rg Tested0.069 at VGS = - 10 V - 3.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECP-Channel - 200.083 at
si3588dv.pdf
Si3588DVVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.080 at VGS = 4.5 V 3.0 TrenchFET Power MOSFETs: 1.8 V Rated0.100 at VGS = 2.5 V N-Channel 20 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.128 at VGS = 1.8 V 2.30.145 at VGS = - 4.5 V - 2.20
si3586dv.pdf
Si3586DVVishay SiliconixN- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.060 at VGS = 4.5 V 3.4 TrenchFET Power MOSFET0.070 at VGS = 2.5 V Fast Switching In Small FootprintN-Channel 20 3.2 Very Low RDS(on) for Increased Efficiency0.100 at VGS = 1.8 V 2.5
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
