VB2703K. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VB2703K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для VB2703K
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VB2703K даташит
vb2703k.pdf
VB2703K www.VBsemi.com P-Channel 70 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) VGS(th) (V) ID (mA) Definition TrenchFET Power MOSFET - 70 3.6 at VGS = - 10 V - 1 to - 3 -400 High-Side Switching Low On-Resistance 3 Low Threshold - 2 V (typ.) Fast Swtiching Speed 20 ns (typ.) Low Inpu
Другие MOSFET... RSS065N06 , RSS090P03 , CS3N40A23 , CS3N40A3H , CS3N40A4H , CS3N50B3 , ISL9N306AS3S , CS3N50B4 , 2SK3568 , VB3222 , VB4290 , VB5222 , CS3N90A3H1-G , RTR025N05T , RYU002N05T306 , CS3N80ARH , NTD20N06T4 .
History: IRFP153FI | SM2260NSQG | 2SK2223-01 | HBS170 | DMN63D8LW | DMG2307L | SI2308DS-T1-GE3
History: IRFP153FI | SM2260NSQG | 2SK2223-01 | HBS170 | DMN63D8LW | DMG2307L | SI2308DS-T1-GE3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl

