Справочник MOSFET. IRF640

 

IRF640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 36 nC
   trⓘ - Время нарастания: 60(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 750(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:317K  1
irf640 irf640fi.pdfpdf_icon

IRF640

 ..2. Size:2211K  international rectifier
irf640pbf.pdfpdf_icon

IRF640

PD - 94930IRF640PbF Lead-Free1/8/04Document Number: 91036 www.vishay.com1IRF640PbFDocument Number: 91036 www.vishay.com2IRF640PbFDocument Number: 91036 www.vishay.com3IRF640PbFDocument Number: 91036 www.vishay.com4IRF640PbFDocument Number: 91036 www.vishay.com5IRF640PbFDocument Number: 91036 www.vishay.com6IRF640PbFTO-220AB Package OutlineD

 ..3. Size:178K  international rectifier
irf640.pdfpdf_icon

IRF640

 ..4. Size:97K  philips
irf640 s 1.pdfpdf_icon

IRF640

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor IRF640, IRF640S FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d Low on-state resistance VDSS = 200 V Fast switching Low thermal resistance ID = 16 AgRDS(ON) 180 msGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhancement mode field-effect power transistor using Trench technolog

Другие MOSFET... IRF631 , IRF632 , IRF633 , IRF634 , IRF634A , IRF634S , IRF635 , IRF636A , 7N60 , IRF640A , IRF640FI , IRF640L , IRF640S , IRF641 , IRF642 , IRF643 , IRF644 .

History: 4N60 | 2SK3878

 

 
Back to Top

 


 
.