SPN3400S23RG - аналоги и даташиты транзистора

 

SPN3400S23RG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SPN3400S23RG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для SPN3400S23RG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SPN3400S23RG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:885K  cn vbsemi
 spn3400s23rg.pdf pdf_icon

SPN3400S23RG

SPN3400S23RGwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.030 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.530 4.5 nC 100 % Rg Tested0.033 at VGS = 4.5 V 6.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC ConverterDTO-236(SOT-23

 9.1. Size:919K  cn vbsemi
 spn3414s23rgb.pdf pdf_icon

SPN3400S23RG

SPN3414S23RGBwww.VBsemi.twN-Channel 20 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)e Qg (Typ.)Definition0.028 at VGS = 4.5 V TrenchFET Power MOSFET6a 100 % Rg Tested20 0.042 at VGS = 2.5 V 6a 8.8 nC Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.050 at VGS = 1.8 V 5.6APPLICATIONS D

Другие MOSFET... SI9945BDY-T1 , SI9945DY , CS6N90A8H , NCE2305A , NCE3007S , MTD6P10ET4 , MMSF7P03HDR2G , CS730A8H , 7N60 , CS730FA9H , CS730FA9RD , CS740A0H , CS120N08A8 , SSC8033GS6 , SSC8035GS6 , CS7N60A3R , CS7N60A4R .

History: TK4R3E06PL | SI4410DY | SI4816DY | SIRA18DP | TK4A80E | CEB02N65G

 

 
Back to Top

 


 
.