SI4848DY-T1-E3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4848DY-T1-E3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SO8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI4848DY-T1-E3 Datasheet (PDF)
si4848dy-t1-e3.pdf

SI4848DY-T1-E3www.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATION
si4848dy-t1.pdf

SI4848DY-T1www.VBsemi.twN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.080 at VGS = 10 V 5.4 Extremely Low Qgd for Switching Losses150 23 nC0.085 at VGS = 8 V 4.5 100 % Rg Tested 100 % Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDAPPLICATIONS
si4848dy.pdf

Si4848DYVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.085 at VGS = 10 V 3.7 TrenchFET Power MOSFETs1500.095 at VGS = 6.0 V 3.5 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSO-8S D1 8S D2 7GS D3 6G D4 5Top ViewSOrdering Information:
si4848ady.pdf

Si4848ADYwww.vishay.comVishay SiliconixN-Channel 150 V (D-S) MOSFETFEATURESSO-8 SingleD ThunderFET power MOSFETD 5D 6 100 % Rg testedD 7 Material categorization:8for definitions of compliance please seewww.vishay.com/doc?999124APPLICATIONSDG33 DC/DC convertersSS22SS11 Boost converters STop View LED backlighti
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: SI4162DY | SI4490DY | IRC330 | R6524KNX | SI4622DY | SI4156DY | SI2301ADS-T1
History: SI4162DY | SI4490DY | IRC330 | R6524KNX | SI4622DY | SI4156DY | SI2301ADS-T1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet | 2sc373 | a1023 datasheet | 2sc1080 | 2sb618