SM4307PSKC-TRG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM4307PSKC-TRG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.7 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43 nC
trⓘ - Время нарастания: 13 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 380 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm
Тип корпуса: SO8
Аналог (замена) для SM4307PSKC-TRG
SM4307PSKC-TRG Datasheet (PDF)
sm4307pskc-trg.pdf
SM4307PSKC-TRGwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Available0.0125 at VGS = - 10 V - 11.6 TrenchFET Power MOSFET- 30 22 nC 100 % Rg Tested0.0180 at VGS = - 4.5 V - 10 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Load SwitchesS - Notebook PCsSO-8- Deskt
sm4307pskp.pdf
SM4307PSKP P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD -30V/-34A,DDRDS(ON) = 18m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 30m (max.) @ VGS =-4.5VGSPin 1 Reliable and Rugged SS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8(RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Pow
sm4307psk.pdf
SM4307PSK P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD -30V/-11A,DRDS(ON) = 18m (max.) @ VGS =-10VRDS(ON) = 30m (max.) @ VGS =-4.5VSS Reliable and Rugged SG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8(RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D D(4)ApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery Po
sm4307pskpc.pdf
SM4307PSKPCwww.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Extended VGS range ( 25 V) for adaptor switchVDS (V) RDS(on) () Max. applicationsID a Qg (Typ.) Extremely low RDS(on)0.0080 at VGS = - 10 V - 60 TrenchFET Power MOSFET- 30 0.0090 at VGS = - 6 V - 53 66 nC 100 % Rg and UIS Tested0.0012 at VGS = - 4.5 V - 50 Typical ESD
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918