Справочник MOSFET. SUD50P04-09L-E3

 

SUD50P04-09L-E3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SUD50P04-09L-E3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 60 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 508 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SUD50P04-09L-E3

 

 

SUD50P04-09L-E3 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:889K  cn vbsemi
 sud50p04-09l-e3.pdf

SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3

SUD50P04-09L-E3www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25

 2.1. Size:88K  vishay
 sud50p04-09l.pdf

SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3

SUD50P04-09LVishay SiliconixP-Channel 40 V (D-S), 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETsVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d 175 C Junction Temperature0.0094 at VGS = - 10 V - 50 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC- 400.0145 at VGS = - 4.5 V - 50STO-252GDrain Connected to TabG D STop View DOrdering Information: SUD50P04

 4.1. Size:165K  vishay
 sud50p04-08.pdf

SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3

SUD50P04-08www.vishay.comVishay SiliconixP-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (TYP.) 100 % Rg and UIS tested0.0081 at VGS = -10 V -50 d-40 60 Material categorization:0.0117 at VGS = -4.5 V -48 dfor definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?99912 TO-252TOAPPLICATIONS

 4.2. Size:1492K  cn vbsemi
 sud50p04-08.pdf

SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3

SUD50P04-08www.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C,

 4.3. Size:206K  inchange semiconductor
 sud50p04-08.pdf

SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3

INCHANGE SemiconductorIsc P-Channel MOSFET Transistor SUD50P04-08FEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor contorlDC-DC conventersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... ST2315S23R , ST2341S23R , STB60N06-14 , STC5NF20V , SM4305PSKC , SM4307PSKC-TRG , SQ9945BEY-T1-GE3 , SQD40N06-14 , IRFB3206 , SUD50P06-15L-GE3 , CS8N25FA9 , CS8N50A8R , CS8N50FA9R , CS8N60A8D , VB1101M , CS8N60ARD , TP0610K-T1 .

History: IPZ65R095C7 | IXFT50N60P3

 

 
Back to Top