SIA517DJ - описание и поиск аналогов

 

SIA517DJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SIA517DJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.029(0.061) Ohm

Тип корпуса: DFN2X2-6L

Аналог (замена) для SIA517DJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SIA517DJ даташит

 ..1. Size:266K  vishay
sia517dj.pdfpdf_icon

SIA517DJ

New Product SiA517DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.029 at VGS = 4.5 V 4.5a TrenchFET Power MOSFETs 0.034 at VGS = 2.5 V 4.5a N-Channel 12 5.6 nC New Thermally Enhanced PowerPAK 0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a SC-70 Packag

 ..2. Size:3543K  kexin
sia517dj.pdfpdf_icon

SIA517DJ

SMD Type MOSFET Complementary Trench MOSFET SIA517DJ (KIA517DJ) DFN2X2-6L Features N-Channel VDS (V) = 12V ID = 4.5 A (VGS = 4.5V) 1 S1 RDS(ON) 29m (VGS = 4.5V) 2 G1 RDS(ON) 34m (VGS = 2.5V) 3 D1 D2 RDS(ON) 44m (VGS = 1.8V) D1 D2 6 RDS(ON) 65m (VGS = 1.5V) G2 5 2.05 mm 2.05 mm S2 P-Channel 4 VDS (V) = -12V

 8.1. Size:3458K  cn tuofeng
sia517.pdfpdf_icon

SIA517DJ

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTD N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET SiA517 N- and P-Channel 12-V (D-S) MOSFET DFN2X2-6L PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) 1 S1 0.029 at VGS = 4.5 V 4.5a 2 G1 0.034 at VGS = 2.5 V 4.5a 3 D1 N-Channel 12 5.6 nC D2 0.044 at VGS = 1.8 V 4.5a D1 D2 6 0.065 at VGS = 1.5 V 4.5a G2 5 2.05 mm 0.061 at V

 9.1. Size:227K  vishay
sia513dj.pdfpdf_icon

SIA517DJ

New Product SiA513DJ Vishay Siliconix N- and P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETs 0.060 at VGS = 4.5 V 4.5a N-Channel 20 3.5 nC New Thermally Enhanced PowerPAK RoHS 0.092 at VGS = 2.5 V 4.5a COMPLIANT SC-70 Package 0.110 at VGS = - 4.5 V - 4.5a - Small Footprint

Другие MOSFET... AO4600 , AO4604 , AO4609 , AO4614A , AO4624 , SI4558DY , SI5504DC , SI5513CD , 2N7002 , SI4953ADY , SI1903DL , SI4953DY , AO4824L , AO4900 , AO4906 , AO4912 , AO4918 .

History: AO4912

 

 

 

 

↑ Back to Top
.