Справочник MOSFET. SI4953ADY

 

SI4953ADY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4953ADY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 297 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4953ADY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  vishay
si4953ady.pdfpdf_icon

SI4953ADY

Si4953ADYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.053 at VGS = - 10 V - 4.9 TrenchFET Power MOSFETs - 300.090 at VGS = - 4.5 V - 3.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25To

 ..2. Size:1498K  kexin
si4953ady.pdfpdf_icon

SI4953ADY

SMD Type MOSFETDual P-Channel MOSFETSI4953ADY (KI4953ADY)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) =-30V ID =-4.9 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 53m (VGS =-10V) RDS(ON) 90m (VGS =-4.5V)1 S1 5 D2 6 D22 G17 D13 S28 D14 G2S1 S2G1 G2D1 D1 D2 D2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 secs Steady State Unit Drain-Sourc

 0.1. Size:864K  cn vbsemi
si4953ady-t1-e3.pdfpdf_icon

SI4953ADY

SI4953ADY-T1-E3www.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25

 8.1. Size:51K  vishay
si4953dy.pdfpdf_icon

SI4953ADY

Si4953DYVishay SiliconixDual P-Channel 30-V(D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARYD 100% Rg TestedVDS (V) rDS(on) (W) ID (A)0.053 @ VGS = -10 V -4.9-30300.095 @ VGS = -4.5 V -3.6S1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top ViewD1 D1 D2 D2Ordering Information: Si4953DYSi4953DY-T1 (with Tape and Reel) P-Channel MOSFET P-Channel MOSFETABSOLUTE M

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | DMP22M2UPS-13 | STD3N30T4 | H5N2004DS

 

 
Back to Top

 


 
.