SI4946DY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI4946DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.7 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 180 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 71 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для SI4946DY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI4946DY даташит
si4946dy.pdf
SMD Type MOSFET Dual N-Channel MOSFET SI4946DY (KI4946DY) SOP-8 Features VDS (V) = 60V 1.50 0.15 ID = 6.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 41m (VGS = 10V) RDS(ON) 52m (VGS = 4.5V) 1 Source1 5 Drain2 6 Drain2 2 Gate1 175 C Maximum Junction Temperature 7 Drain1 3 Source2 8 Drain1 4 Gate2 D1 D2 G1 G2 S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25
si4946be.pdf
Si4946BEY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET 60 9.2 nC 0.052 at VGS = 4.5 V 5.8 175 C Maximum Junction Temperature 100 % Rg Tested Compliant to RoHS directive 2002/9
si4946ey.pdf
Si4946EY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY D TrenchFETr Power MOSFET VDS (V) rDS(on) (W) ID (A) D 175_C Maximum Junction Temperature D 100% Rg Tested 0.055 @ VGS = 10 V 4.5 Pb-free Available 60 60 0.075 @ VGS = 4.5 V 3.9 SO-8 D S1 1 D1 8 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G G2 4 D2 5 Top View S Ordering Information Si4946EY Si4946EY-
si4946bey.pdf
Si4946BEY Vishay Siliconix Dual N-Channel 60-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Qg (Typ.) Definition 0.041 at VGS = 10 V 6.5 TrenchFET Power MOSFET 60 9.2 nC 0.052 at VGS = 4.5 V 5.8 175 C Maximum Junction Temperature 100 % Rg Tested Compliant to RoHS directive 2002/9
Другие MOSFET... AO4918 , AO6804 , KI8205A , KI8205T , KI8810DY , KI8810T , KI9926A , KX4N03W , IRFB3607 , SI9926BDY , SI9926DY , 2SJ130S , 2SJ213 , 2SJ302-ZJ , 2SJ356 , 2SJ492-ZJ , 2SJ599-Z .
History: JCS10N70C | 3N70G-TN3-R | IRF8513 | IRF8910
History: JCS10N70C | 3N70G-TN3-R | IRF8513 | IRF8910
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
Popular searches
75339p mosfet | a968 transistor | f1010e mosfet | 2sc3883 | c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet






