AO4335 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: AO4335
Маркировка: 4335
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 8.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOP8
AO4335 Datasheet (PDF)
ao4335.pdf
AO433530V P-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryThe AO4335 uses advanced trench technology to provide excellent VDS = -30VRDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device ID = -10.5A (VGS = -20V)is suitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON)
ao4335.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETAO4335 (KO4335)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-10.5 A (VGS =-20V) RDS(ON) 14m (VGS =-20V) 0.151.50 RDS(ON) 18m (VGS =-10V) RDS(ON) 36m (VGS =-5V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateDGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Dr
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918