AO4335 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AO4335

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для AO4335

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO4335 даташит

 ..1. Size:306K  aosemi
 ao4335.pdf pdf_icon

AO4335

AO4335 30V P-Channel MOSFET General Description Product Summary The AO4335 uses advanced trench technology to provide excellent VDS = -30V RDS(ON), and ultra-low low gate charge with a 25V gate rating. This device ID = -10.5A (VGS = -20V) is suitable for use as a load switch or in PWM applications. RDS(ON)

 ..2. Size:1777K  kexin
 ao4335.pdf pdf_icon

AO4335

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO4335 (KO4335) SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-10.5 A (VGS =-20V) RDS(ON) 14m (VGS =-20V) 0.15 1.50 RDS(ON) 18m (VGS =-10V) RDS(ON) 36m (VGS =-5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate D G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Dr

Другие IGBT... 2SJ604-ZJ, 2SJ605-ZJ, 2SJ606-ZJ, 2SJ607-ZJ, A9451, AO3401A, AO3415AS, AO3415W, 18N50, AO4705, AOD413, BSL211DV, DMP1260, FQD12P10, FR9024N, KI001P, KI001PW