KI001PW MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KI001PW
Маркировка: 001P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 15 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.085 Ohm
Тип корпуса: SOT323
KI001PW Datasheet (PDF)
ki001pw.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI001PW Features VDS (V) =-15V ID =-3 A (VGS =-10V) RDS(ON) 85m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 95m (VGS =-2.5V)1 Gate2 Source3 Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -15V Gate-Source Voltage VGS 12 Continuous Drain Current ID -3 A Power Dissipation P
ki001p.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI001PSOT-23Unit: mm+0.12.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V)+0.050.95+0.1-0.1 0.1 -0.011.9+0.1-0.1 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sour
ki001p-3.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KI001PSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-12V ID =-2.8 A1 2 RDS(ON) 100m (VGS =-4.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2 RDS(ON) 150m (VGS =-2.5V)1.Gate2.Source3.Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
