Справочник MOSFET. KI10P40DY

 

KI10P40DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI10P40DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для KI10P40DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI10P40DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:444K  kexin
 ki10p40dy.pdf pdf_icon

KI10P40DY

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI10P40DYSOP-8 Features VDS=-40V ID =-15A RDS(on)= 42m@VGS=-10V ,ID=-1A1.50 0.15 RDS(on)= 70m@VGS=-4.5V,ID=-1A1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -40V Gate-Source Voltage VGS 20 TA=

Другие MOSFET... FQD12P10 , FR9024N , KI001P , KI001PW , KI005P , KI005PDFN , KI007P , KI009P , NCEP15T14 , KI2301T , KI2305DS , KI2955DS , KI2955DV , KI30P03DFN , KI5P04DS , KI9435DY , KO3401 .

History: ST2342 | RUH1H150S-AR | FIR120N055PG

 

 
Back to Top

 


 
.