KI10P40DY. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: KI10P40DY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для KI10P40DY
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
KI10P40DY даташит
ki10p40dy.pdf
SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KI10P40DY SOP-8 Features VDS=-40V ID =-15A RDS(on)= 42m @VGS=-10V ,ID=-1A 1.50 0.15 RDS(on)= 70m @VGS=-4.5V,ID=-1A 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Source Voltage VGS 20 TA=
Другие MOSFET... FQD12P10 , FR9024N , KI001P , KI001PW , KI005P , KI005PDFN , KI007P , KI009P , IRF1405 , KI2301T , KI2305DS , KI2955DS , KI2955DV , KI30P03DFN , KI5P04DS , KI9435DY , KO3401 .
History: STD12NM50ND | STD14NM50N | CS7N80FA9 | BSS316N | 2SK3575-Z | AO4614 | HYG067N07NQ1B
History: STD12NM50ND | STD14NM50N | CS7N80FA9 | BSS316N | 2SK3575-Z | AO4614 | HYG067N07NQ1B
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sc897 datasheet | 2sd389 | mp41 transistor | nkt275 datasheet | 2sd947 | a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor

