Справочник MOSFET. KI5P04DS

 

KI5P04DS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KI5P04DS
   Маркировка: 40P05
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.085 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для KI5P04DS

 

 

KI5P04DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:886K  kexin
 ki5p04ds.pdf

KI5P04DS KI5P04DS

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETKI5P04DSSOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.13 Features VDS (V) =-40V ID =-5.3 A (VGS =-10V)1 2 RDS(ON) 85m (VGS =-10V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 126m (VGS =-4.5V) +0.1D1.9-0.2 High power and current handing capabilityG 1. Gate2. Source3. DrainS Absolute Maximum

 9.1. Size:188K  tysemi
 ki5p03dy.pdf

KI5P04DS KI5P04DS

SMD Type ICSMD Type MOSFESMD Type MOSFETProduct specification KI5P03DY Features 5.3 A, -30 V. RDS(ON) = 50 m @ VGS = -10 V RDS(ON) = 80 m @ VGS = -4.5 V Low gate charge Fast switching speed High performance trench technology for extremely low RDS(ON) High power and current handling capability812 73 64 5 Absolute Maximum Ratings T

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top