KX5P02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KX5P02  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для KX5P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX5P02 даташит

 ..1. Size:322K  kexin
 kx5p02.pdf pdf_icon

KX5P02

 9.1. Size:1275K  kexin
 kx5p04dy.pdf pdf_icon

KX5P02

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET KX5P04DY SOP-8 Unit mm Features VDS (V) =-40V ID =-5.3 A (VGS =-10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 80m (VGS =-10V) RDS(ON) 120m (VGS =-4.5V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS -40 V Gate-Sourc

Другие IGBT... KI2955DS, KI2955DV, KI30P03DFN, KI5P04DS, KI9435DY, KO3401, KO3415A, KO4407, RU7088R, KX5P04DY, KX6P02, KX9435, KXF2955, NDT12P20, NDT40P04, NTMS10P02R2, NTR4101P