Справочник MOSFET. KX6P02

 

KX6P02 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KX6P02
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0249 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для KX6P02

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KX6P02 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1989K  kexin
 kx6p02.pdf pdf_icon

KX6P02

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KX6P02SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-20V Low ON-resitance:RD S (O N ) =88.4m (VGS =-1.5V)1 2RD S (O N ) = 56m (VGS =-1.8V) +0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2RD S (O N ) =39.7m (VGS =-2.5V)RD S (O N ) = 29.8m VGS = -4.5 V)1. Gate2. Source3. Drain

Другие MOSFET... KI30P03DFN , KI5P04DS , KI9435DY , KO3401 , KO3415A , KO4407 , KX5P02 , KX5P04DY , HY1906P , KX9435 , KXF2955 , NDT12P20 , NDT40P04 , NTMS10P02R2 , NTR4101P , SI2301BDS , IXFP18N65X2 .

History: IRF621FI

 

 
Back to Top

 


 
.