KX6P02 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KX6P02
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 118 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0249 Ohm
Тип корпуса: SOT23
KX6P02 Datasheet (PDF)
kx6p02.pdf
SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET KX6P02SOT-23-3Unit: mm+0.22.9-0.1+0.10.4 -0.1 Features3 VDS (V) =-20V Low ON-resitance:RD S (O N ) =88.4m (VGS =-1.5V)1 2RD S (O N ) = 56m (VGS =-1.8V) +0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9-0.2RD S (O N ) =39.7m (VGS =-2.5V)RD S (O N ) = 29.8m VGS = -4.5 V)1. Gate2. Source3. Drain
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918