Справочник MOSFET. SI2323DS

 

SI2323DS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI2323DS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 43 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
   Тип корпуса: SOT23

 Аналог (замена) для SI2323DS

 

 

SI2323DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:188K  vishay
 si2323ds.pdf

SI2323DS SI2323DS

Si2323DSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.039 at VGS = - 4.5 V - 4.7 TrenchFET Power MOSFET 0.052 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.10.068 at VGS = - 1.8 V - 3.5APPLICATIONS Load Switch PA SwitchTO-236(SOT-23)G 13 DS 2Top ViewS

 ..2. Size:1691K  kexin
 si2323ds.pdf

SI2323DS SI2323DS

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2323DS (KI2323DS)SOT-23Unit: mm Features2.9+0.1-0.1+0.10.4 -0.1 VDS (V) =-20V3 ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 39m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 52m (VGS =-2.5V)1 2 RDS(ON) 68m (VGS =-1.8V)+0.1+0.050.95 -0.1 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1G 11.Gate3 D2.SourceS 23.Drain A

 0.1. Size:1762K  kexin
 si2323ds-3.pdf

SI2323DS SI2323DS

SMD Type MOSFETP-Channel Enhancement MOSFET SI2323DS (KI2323DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.1 Features3 VDS (V) =-20V ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 39m (VGS =-4.5V)1 2 RDS(ON) 52m (VGS =-2.5V)+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 68m (VGS =-1.8V)G 13 D1. GateS 2 2. Source3. Drain

 0.2. Size:905K  cn vbsemi
 si2323ds-t1.pdf

SI2323DS SI2323DS

SI2323DS-T1www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter(SOT

 7.1. Size:211K  vishay
 si2323dds.pdf

SI2323DS SI2323DS

Si2323DDSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) () Max.ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg Tested Material categorization:0.039 at VGS = - 4.5 V - 5.3For definitions of compliance please see- 20 0.050 at VGS = - 2.5 V - 4.7 13.6 nCwww.vishay.com/doc?999120.075 at VGS = - 1.8 V - 3.8APPLICATION

 7.2. Size:868K  cn vbsemi
 si2323dds-t1-ge3.pdf

SI2323DS SI2323DS

SI2323DDS-T1-GE3www.VBsemi.twP-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg TestedVDS (V) RDS(on) () Typ.ID (A)a Qg (Typ.)0.046 at VGS = - 10 V - 5.60.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC- 30APPLICATIONS0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing- Load Switch- Notebook Adaptor SwitchSTO-236- DC/DC Converter

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top