SI2323DS - описание и поиск аналогов

 

SI2323DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI2323DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для SI2323DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI2323DS даташит

 ..1. Size:188K  vishay
si2323ds.pdfpdf_icon

SI2323DS

Si2323DS Vishay Siliconix P-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.039 at VGS = - 4.5 V - 4.7 TrenchFET Power MOSFET 0.052 at VGS = - 2.5 V - 20 - 4.1 0.068 at VGS = - 1.8 V - 3.5 APPLICATIONS Load Switch PA Switch TO-236 (SOT-23) G 1 3 D S 2 Top View S

 ..2. Size:1691K  kexin
si2323ds.pdfpdf_icon

SI2323DS

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2323DS (KI2323DS) SOT-23 Unit mm Features 2.9+0.1 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 VDS (V) =-20V 3 ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 39m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 52m (VGS =-2.5V) 1 2 RDS(ON) 68m (VGS =-1.8V) +0.1 +0.05 0.95 -0.1 0.1 -0.01 +0.1 1.9 -0.1 G 1 1.Gate 3 D 2.Source S 2 3.Drain A

 0.1. Size:1762K  kexin
si2323ds-3.pdfpdf_icon

SI2323DS

SMD Type MOSFET P-Channel Enhancement MOSFET SI2323DS (KI2323DS) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4-0.1 Features 3 VDS (V) =-20V ID =-4.7A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 39m (VGS =-4.5V) 1 2 RDS(ON) 52m (VGS =-2.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9 -0.2 RDS(ON) 68m (VGS =-1.8V) G 1 3 D 1. Gate S 2 2. Source 3. Drain

 0.2. Size:905K  cn vbsemi
si2323ds-t1.pdfpdf_icon

SI2323DS

SI2323DS-T1 www.VBsemi.tw P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET 100 % Rg Tested VDS (V) RDS(on) ( ) Typ. ID (A)a Qg (Typ.) 0.046 at VGS = - 10 V - 5.6 0.049 at VGS = - 6 V - 5 11.4 nC - 30 APPLICATIONS 0.054 at VGS = - 4.5 V -4.5 For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch S TO-236 - DC/DC Converter (SOT

Другие MOSFET... SI2303BDS , SI2303DS , SI2305DS , SI2307BDS , SI2307DS , SI2315BDS , SI2319DS , SI2321DS , IRF1404 , SI2325DS , SI2333CDS , SI2333DS , SI2335DS , SI2337DS , SI2341DS , SI2343DS , SI2345DS .

History: NTD4860NT4G | P120NF10 | 2SK3705 | SI1539CDL-T1 | AGM405F | FCP099N65S3 | 2SK1228

 

 

 

 

↑ Back to Top
.