Справочник MOSFET. SI4463BDY

 

SI4463BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI4463BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SI4463BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI4463BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:162K  vishay
si4463bdy.pdfpdf_icon

SI4463BDY

Si4463BDYVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = - 10 V - 13.7 TrenchFET Power MOSFETs0.014 at VGS = - 4.5 V - 20 - 12.30.020 at VGS = - 2.5 V - 10.3SSO-8S 1 8 DGS D2 73 6SDG D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4

 ..2. Size:1321K  kexin
si4463bdy.pdfpdf_icon

SI4463BDY

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI4463BDY (KI4463BDY)SOP-8 Features VDS (V) =-20V ID =-13.7 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 11m (VGS =-10V) RDS(ON) 14m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 20m (VGS =-2.5V) 5 Drain1 Source6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateSGD Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 Secs

 0.1. Size:886K  cn vbsemi
si4463bdy-t1.pdfpdf_icon

SI4463BDY

SI4463BDY-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typi

 6.1. Size:227K  vishay
si4463bd.pdfpdf_icon

SI4463BDY

Si4463BDYVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = - 10 V - 13.7 TrenchFET Power MOSFETs0.014 at VGS = - 4.5 V - 20 - 12.30.020 at VGS = - 2.5 V - 10.3SSO-8S 1 8 DGS D2 73 6SDG D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4

Другие MOSFET... SI2341DS , SI2343DS , SI2345DS , SI2369DS , SI2377EDS , SI2399DS , SI3437DV , SI3475DV , STP75NF75 , SI7119DN , SI7129DN , SI9435BDY , SI9435DY , SIS2305PLT1G , XP162A11 , 2N7002TE , 2SK1284-Z .

History: SCDP120R040NP4B | 8N60H | RU30120L | IPI14N03LA | SI7415DN | AP15TP1R0M | APT10M09B2VR

 

 
Back to Top

 


 
.