SI4463BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI4463BDY
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 90 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
Тип корпуса: SOP8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI4463BDY Datasheet (PDF)
si4463bdy.pdf

Si4463BDYVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = - 10 V - 13.7 TrenchFET Power MOSFETs0.014 at VGS = - 4.5 V - 20 - 12.30.020 at VGS = - 2.5 V - 10.3SSO-8S 1 8 DGS D2 73 6SDG D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4
si4463bdy.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETSI4463BDY (KI4463BDY)SOP-8 Features VDS (V) =-20V ID =-13.7 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 11m (VGS =-10V) RDS(ON) 14m (VGS =-4.5V) RDS(ON) 20m (VGS =-2.5V) 5 Drain1 Source6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateSGD Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol 10 Secs
si4463bdy-t1.pdf

SI4463BDY-T1www.VBsemi.twP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definitiona0.015 at VGS = - 4.5 V TrenchFET Power MOSFET- 13a 100 % Rg Tested0.026 at VGS = - 2.5 V - 20 20 nC- 10 Built in ESD Protection with Zener Diode0.065 at VGS = - 1.8 V - 8 Typi
si4463bd.pdf

Si4463BDYVishay SiliconixP-Channel 2.5-V (G-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.011 at VGS = - 10 V - 13.7 TrenchFET Power MOSFETs0.014 at VGS = - 4.5 V - 20 - 12.30.020 at VGS = - 2.5 V - 10.3SSO-8S 1 8 DGS D2 73 6SDG D4 5Top ViewDOrdering Information: Si4
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: GP1M009A020XG | P0270ATFS | R6524KNX | IRC330 | AM3415 | NCEP080N12G | SI2301ADS-T1
History: GP1M009A020XG | P0270ATFS | R6524KNX | IRC330 | AM3415 | NCEP080N12G | SI2301ADS-T1



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet