Справочник MOSFET. 2SK3269-ZJ

 

2SK3269-ZJ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: 2SK3269-ZJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 285 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для 2SK3269-ZJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

2SK3269-ZJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:941K  kexin
2sk3269-zj.pdfpdf_icon

2SK3269-ZJ

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK3269-ZJ Features VDS (V) = 100V ID = 25 A (VGS = 10V) RDS(ON) 100m (VGS = 10V)D Low on-resistance, Low Qg High avalanche resistanceGS Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current ID 25A Puls

 7.1. Size:45K  kexin
2sk3269.pdfpdf_icon

2SK3269-ZJ

SMD Type MOSFETN-Channel Enhacement Mode MOSFET2SK3269TO-263Unit: mm+0.2Features4.57-0.2+0.11.27-0.14.5 V drive availableLow on-state resistanceRDS(on)1 =12m MAX. (VGS =10V, ID =18 A)+0.10.1max1.27-0.1Low gate chargeQG = 30 nC TYP. (ID =35 A, VDD =16 V, VGS =10 V) +0.10.81-0.12.54Built-in gate protection diode1Gate+0.22.54-0.2 +0.1 +0.25.08-0.1 0.

 8.1. Size:732K  toshiba
2sk3265.pdfpdf_icon

2SK3269-ZJ

2SK3265 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK3265 Chopper Regulators DC-DC Converter and Motor Drive Unit: mmApplications Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.72 (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 7.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = 100 A (max) (VDS = 700 V) Enhancement mode : Vth = 2.0~4.0 V (VDS

 8.2. Size:171K  panasonic
2sk3268.pdfpdf_icon

2SK3269-ZJ

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).Power MOS FETs2SK3268Silicon N-channel power MOS FET Features Package Avalanche energy capability guaranteed Code High-speed switchingU-DL Low ON resistance Ron Pin Name No secondary breakdown1: Gate Low-voltage drive2: Drain High electrostatic energy capability3: Source

Другие MOSFET... 2N7002TE , 2SK1284-Z , 2SK2094-Z , 2SK2869-ZJ , 2SK2926-ZJ , 2SK3024-Z , 2SK3224-Z , 2SK3225 , AON7410 , 2SK3305-ZJ , 2SK3402-Z , 2SK3424-ZJ , 2SK3430-ZJ , 2SK3434-ZJ , A9452 , AMS6006 , AO4306 .

History: IRF7749L1TRPBF

 

 
Back to Top

 


 
.