Справочник MOSFET. 2SK3430-ZJ

 

2SK3430-ZJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 2SK3430-ZJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(off)|ⓘ - Минимальное напряжение отсечки: 1.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 50 nC
   trⓘ - Время нарастания: 1800 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0073 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для 2SK3430-ZJ

 

 

2SK3430-ZJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:995K  kexin
2sk3430-zj.pdf

2SK3430-ZJ
2SK3430-ZJ

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFET2SK3430-ZJ Features VDS S = 40V ID = 80 A (VGS = 10V) RDS(ON) 7.3m (VGS = 10V) RDS(ON) 15m (VGS = 4V) Low Ciss: Ciss = 2800 pF TYP.DrainBodyGate DiodeGateProtectionSourceDiode Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 40V Gate-Source Voltage

 5.1. Size:222K  inchange semiconductor
2sk3430-z.pdf

2SK3430-ZJ
2SK3430-ZJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430-ZFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)a

 6.1. Size:282K  inchange semiconductor
2sk3430-s.pdf

2SK3430-ZJ
2SK3430-ZJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430-SFEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solen

 7.1. Size:48K  nec
2sk3430.pdf

2SK3430-ZJ
2SK3430-ZJ

PRELIMINARY DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3430SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3430 is N-channel MOS Field Effect TransistorPART NUMBER PACKAGEdesigned for high current switching applications.2SK3430 TO-220AB2SK3430-S TO-262FEATURES2SK3430-Z TO-220SMD Super low on-state resistance:RDS(on)1 = 7.3 m

 7.2. Size:288K  inchange semiconductor
2sk3430.pdf

2SK3430-ZJ
2SK3430-ZJ

isc N-Channel MOSFET Transistor 2SK3430FEATURESDrain Current : I = 80A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 40V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 7.5m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoi

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top