Справочник MOSFET. KI7N10DY

 

KI7N10DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI7N10DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KI7N10DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  kexin
 ki7n10dy.pdf pdf_icon

KI7N10DY

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI7N10DYSOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 7A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 350m (VGS = 10V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current I

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.