Справочник MOSFET. KI7N10DY

 

KI7N10DY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KI7N10DY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для KI7N10DY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI7N10DY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:341K  kexin
 ki7n10dy.pdf pdf_icon

KI7N10DY

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETKI7N10DYSOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 7A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 350m (VGS = 10V)1 Source 5 Drain6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current I

Другие MOSFET... KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , K2611 , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F .

History: CS3N65A4H-G | CS3N90A8 | WMC1N40D1

 

 
Back to Top

 


 
.