KI7N10DY - описание и поиск аналогов

 

KI7N10DY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KI7N10DY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для KI7N10DY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KI7N10DY даташит

 ..1. Size:341K  kexin
 ki7n10dy.pdf pdf_icon

KI7N10DY

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET KI7N10DY SOP-8 Features VDS (V) = 100V ID = 7A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 350m (VGS = 10V) 1 Source 5 Drain 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS 20 Continuous Drain Current I

Другие MOSFET... KI1N60 , KI1N60DS , KI2310 , KI2310DS , KI3055 , KI3055DY , KI3305DS , KI502DT , 8N60 , KI8810DS , KO3400 , KX10N60F , KX120N06 , KX12N65F , KX1N60DS , KX3N80 , KX4N60F .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.