KX8N60CF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KX8N60CF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 29 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 110 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
KX8N60CF Datasheet (PDF)
kx8n60cf.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX8N60CFUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)D 0.20 Fast switching 2.76 Improved dv/dt capability1.47max0.200.501 2 3 G0.200.802.54typS2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter
kx8n60c.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel MOSFETKX8N60CTO-2209.90 0.20 4.50 0.20(8.70)+0.103.60 0.10 1.30 0.05 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)D Fast switching1.27 0.10 1.52 0.1021 3 Improved dv/dt capability0.80 0.10 +0.100.50 0.05 2.40 0.202.54TYP 2.54TYP[2.54 0.20 ] [2.
kx8n60f.pdf
DIP Type MOSFETN-Channel MOSFET KX8N60FUnit: mmTO-220F0.200.200.202.540.200.70 Features VDS (V) = 600V ID = 7.5 A (VGS = 10V) RDS(ON) 1.2 (VGS = 10V)0.202.76 Low gate charge 100% avalanche tested1.47max0.200.500.200.802.54typ2.54typ Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
