MCH6405 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MCH6405
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 16 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.031 Ohm
Тип корпуса: SOT163
MCH6405 Datasheet (PDF)
mch6405.pdf
Ordering number : ENN7012MCH6405N-Channel Silicon MOSFETMCH6405Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2193A 2.5V drive.[MCH6405]0.30.154 5 63 2 11 : Drain0.65 2 : Drain3 : Gate2.06 5 44 : Source5 : Drain6 : DrainSANYO : MCPH6Specifications1 2 3Absolute Ma
mch6405.pdf
SMD Type MOSFETN-Channel Enhancement MOSFETMCH6405 (KCH6405)( )SOT-23-6 Unit: mm0.4+0.1-0.1 Features6 5 4 VDS (V) = 20V ID = 5.0 A RDS(ON) 41m (VGS = 4V) RDS(ON) 54m (VGS = 2.5V)2 31+0.020.15 -0.02+0.01-0.01+0.2-0.11 : Drain2 : Drain3 : Gate4 : Source5 : Drain6 : Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25Pa
mch6402.pdf
Ordering number : ENN6972MCH6402N-Channel Silicon MOSFETMCH6402Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsPreliminaryFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2193A 4V drive.[MCH6402]0.30.154 5 63 2 10.651 : Drain2 : Drain2.06 5 43 : Gate4 : Source5 : Drain6 : DrainSpecifications1 2 3 SANYO : MCPH6
mch6401.pdf
Ordering number : ENN6779MCH6401N-Channel Silicon MOSFETMCH6401Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2193 2.5V drive.[MCH6401]0.3 0.156 5 41 2 30.651 : Drain2.0 2 : Drain3 : Gate4 : Source5 : Drain6 : DrainSpecificationsSANYO : MCPH6Absolute Maximum Ratings at
mch6403.pdf
Ordering number : ENN6780MCH6403N-Channel Silicon MOSFETMCH6403Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON-resistance. unit : mm Ultrahigh-speed switching. 2193 2.5V drive.[MCH6403]0.3 0.156 5 41 2 30.651 : Drain2.02 : Drain3 : Gate4 : Source5 : Drain6 : DrainSpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25C SANY
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918