Справочник MOSFET. NDT70N03

 

NDT70N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NDT70N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 88 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 860 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для NDT70N03

 

 

NDT70N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1184K  kexin
 ndt70n03.pdf

NDT70N03 NDT70N03

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETNDT70N03TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 Features+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 VDS (V) = 30V ID = 33A (VGS = 10V) RDS(ON) 4.3m (VGS = 10V)D0.127+0.10.80-0.1 RDS(ON) 6.5m (VGS = 4.5V) max+ 0.11 Gate2.3 0.60- 0.1G +0.154.60 -0.152 Drain3 SourceS Absolute Maximum Ratings

 7.1. Size:532K  kexin
 ndt70n06.pdf

NDT70N03 NDT70N03

SMD Type MOSFETTransistorsN-Channel Trench Power MOSFETNDT70N06TO-252Unit: mm Features+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1 VDS = 60V; ID = 88A +0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 RDS(ON) 6.6m (VGS = 10V) Ultra Low On-Resistance High UIS and UIS 100% Test0.127+0.10.80-0.1max+ 0.11Gate2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152Drain3Source Absolute Maximum Ratings Ta =

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top