SI2366DS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI2366DS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 48 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 78 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.036 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для SI2366DS
SI2366DS Datasheet (PDF)
si2366ds.pdf

New ProductSi2366DSVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.036 at VGS = 10 V 5.8 TrenchFET Power MOSFET30 3.2 nC 100 % Rg Tested0.042 at VGS = 4.5 V 5.4 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS DC/DC Converters,
si2366ds.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2366DS (KI2366DS)SOT-23Unit: mm+0.12.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V)1 2+0.1+0.050.95 -0.1 RDS(ON) 36m (VGS = 10V) 0.1 -0.01+0.11.9 -0.1 RDS(ON) 42m (VGS = 4.5V)1. Gate2. SourceD3. Drain(3)G(1)(2)S Absolute Maximum Ratings Ta = 25Par
si2366ds-3.pdf

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI2366DS (KI2366DS)SOT-23-3Unit: mm+0.22.9 -0.1+0.10.4-0.13 Features VDS (V) = 30V ID = 5.8 A (VGS = 10V)1 2+0.02+0.10.15 -0.020.95 -0.1 RDS(ON) 36m (VGS = 10V)+0.11.9 -0.2 RDS(ON) 42m (VGS = 4.5V)1. Gate2. SourceD3. Drain(3)G(1)(2)S Absolute Maximum Ratings Ta = 25
si2367ds.pdf

New ProductSi2367DSVishay SiliconixP-Channel 20-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.)Definition0.066 at VGS = - 4.5 V - 3.8 TrenchFET Power MOSFET- 20 0.086 at VGS = - 2.5 V - 3.3 9 nC 100 % Rg Tested0.130 at VGS = - 1.8 V - 2.7 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECT
Другие MOSFET... SI2308DS , SI2312DS , SI2314EDS , SI2318CDS , SI2318DS , SI2324DS , SI2328DS , SI2356DS , IRFP260 , SI2372DS , SI4056DY , SI4490DY , SI4634DY , SI7898DP , SI9410DY , SIR422DP , UTT6N10Z .
History: SSF47NS60H | APT10026L2FLL | BRCS80N03DP | APT10030L2VFR | IRLR120NPBF | IRFS4010PBF
History: SSF47NS60H | APT10026L2FLL | BRCS80N03DP | APT10030L2VFR | IRLR120NPBF | IRFS4010PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
mrf450 | oc70 transistor | p0603bd mosfet | p157r5nt | ptp03n04n | sm4377 mosfet datasheet | tip31c reemplazo | 2sa906