APM2518NU - аналоги и даташиты транзистора

 

APM2518NU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: APM2518NU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для APM2518NU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

APM2518NU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:265K  sino
 apm2518nu.pdf pdf_icon

APM2518NU

APM2518NU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/50A,DRDS(ON)=8m (Typ.) @ VGS=10VSRDS(ON)=15m (Typ.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Avalanche RatedTop View of TO-252-3 Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant)GApplications Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOrdering and Markin

 8.1. Size:168K  anpec
 apm2510nu.pdf pdf_icon

APM2518NU

APM2510NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/50A,RDS(ON)=8.5m (typ.) @ VGS=10VG DRDS(ON)=15m (typ.) @ VGS=4.5VS Super High Dense Cell Design Avalanche Rated Top View of TO-252 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer orDC/DC ConvertersSN-Ch

 8.2. Size:180K  anpec
 apm2513nu.pdf pdf_icon

APM2518NU

APM2513NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/40A,RDS(ON)=10.5m (typ.) @ VGS=10VG DRDS(ON)=16m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell Design S Avalanche Rated Top View of TO-252 Reliable and RuggedD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)GApplications Power Management in Desktop Computer orSDC/DC ConvertersN-Cha

 9.1. Size:168K  anpec
 apm2556nu.pdf pdf_icon

APM2518NU

APM2556NUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 25V/60A,RDS(ON)=4.5m (typ.) @ VGS=10VG DRDS(ON)=7.5m (typ.) @ VGS=4.5V Super High Dense Cell DesignS Reliable and Rugged Top View of TO-252 Lead Free and Green Devices AvailableD (RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in Desktop Computer orDC/DC ConvertersSN-Channel MOSFET

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI2372DS , SI4056DY , SI4490DY , SI4634DY , SI7898DP , SI9410DY , SIR422DP , UTT6N10Z , AON7410 , APM2558NU , SM1105NSV , SM1200NSAS , SM1202NSAS , SM1301NSSA , SM1402NSS , SM1691OSCS , SM1A00NSF .

 

 
Back to Top

 


 
.