SM1A30NSU MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM1A30NSU
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO252
SM1A30NSU Datasheet (PDF)
sm1a30nsu.pdf
SM1A30NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/18A, D RDS(ON)= 70m (max.) @ VGS= 10VS RDS(ON)= 80m (max.) @ VGS= 4.5VG 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedTop View of TO-252-2 Lead Free and Green Devices AvailableD (RoHS Compliant)ApplicationsG Power Management in DC/DC Converter. For LED Backlight DC-DC Boost ConverterS So
sm1a30nsk.pdf
SM1A30NSK N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDDD 100V/5A, D RDS(ON)= 70m (Max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 80m (Max.) @ VGS=4.5VSSS Reliable and RuggedG Lead Free and Green Devices Available Top View of SOP-8(RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D DDApplications(4)G Power Management in DC/DC Converter. For LED Backlight DC-DC boost converter
sm1a32nsu.pdf
SM1A32NSUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 100V/34A,Drain 4 RDS(ON)= 29m(max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 34m(max.) @ VGS= 4.5V 3 Source2 Reliable and Rugged1 Gate Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)Top View of TO-252-3DApplicationsG For telecom PSE solution.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking InformationPac
sm1a35psu.pdf
SM1A35PSUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -100V/-18A,Drain 4 RDS(ON)= 90m(max.) @ VGS=-10V3 SourceRDS(ON)= 102m(max.) @ VGS=-4.5V 21 Gate Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252-3(RoHS Compliant) 100% UIS TestedD ESD Protection HBM ESD protection level pass 8KVNote : The diode connected betw
sm1a33psu.pdf
SM1A33PSUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -100V/-38A,Drain 4 RDS(ON)= 39m(max.) @ VGS=-10V3 Source RDS(ON)= 49m(max.) @ VGS=-4.5V2 100% UIS+Rg Tested1 Gate Reliable and RuggedTop View of TO-252-2 Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management for Industrial DC / DC Converters.SP
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: PSMN4R0-60YS
History: PSMN4R0-60YS
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918