2N7102 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 2N7102
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
Тип корпуса: TO210
2N7102 Datasheet (PDF)
2n6963 2n6965 2n7100 2n7101 2n7102 2n710.pdf
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 20
Другие MOSFET... 2N7079 , 2N7080 , 2N7081 , 2N7082 , 2N7085 , 2N7086 , 2N7100 , 2N7101 , IRFP450 , 2N7103 , 2N7104 , 2N7105 , 2N7106 , 2N7107 , 2N7108 , 2N7109 , 2N7119 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918