Справочник MOSFET. SM2006NSK

 

SM2006NSK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2006NSK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для SM2006NSK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2006NSK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:170K  sino
sm2006nsk.pdfpdf_icon

SM2006NSK

SM2006NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 20V/10A,DDRDS(ON) = 18m (max.) @ VGS = 4.5VRDS(ON) = 27m (max.) @ VGS = 2.5VSS 100% UIS TestedSG Reliable and RuggedTop View of SOP-8 Lead Free Available (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D DApplications(4)G Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.S S

 9.1. Size:145K  1
bsm200gar120dn2.pdfpdf_icon

SM2006NSK

BSM 200 GAR 120 DN2IGBT Power Module Single switch with chopper diode at collector Chopper diode like diode of BSM300GA120DN2 Package with insulated metal base plateType VCE IC Package Ordering CodeBSM 200 GAR 120 DN2 1200V 290A HB 200GAR C67070-A2301-A70Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitCollector-emitter voltage VCE 1200 VCollector-gate voltage VCGRRGE =

 9.2. Size:244K  infineon
bsm200gb120dlc.pdfpdf_icon

SM2006NSK

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleBSM200GB120DLCIGBT-modules62mm C-Serien Modul mit low loss IGBT2 und EmCon Diode 62mm C-series module with low loss IGBT2 and EmCon diode IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverterHchstzulssige Werte / maximum rated valuesKollektor-Emitter-SperrspannungT = 25C V 1200 Vcollector-emitter voltageKollektor-Dauergleichstro

 9.3. Size:156K  eupec
bsm200gb170dlc.pdfpdf_icon

SM2006NSK

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleBSM 200 GB 170 DLCIGBT-ModulesHchstzulssige Werte / Maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / Electrical propertiesKollektor-Emitter-SperrspannungTvj = 25C VCES 1700 Vcollector-emitter voltageTC = 80 C IC,nom. 200 AKollektor-DauergleichstromDC-collector currentTC = 25 C IC 400 APeriodischer Kollek

Другие MOSFET... SM7A24NSFP , SM7A24NSU , SM7A24NSUB , SM7A25NSF , SM7A25NSFP , SM7A25NSU , SM7A25NSUB , SM2004NSD , P60NF06 , SM2014NSKP , SM2014NSU , SM2030NSU , SM2054NSD , SM2054NSV , SM2201NSQG , SM2202NSQE , SM2202NSQG .

History: STP10NK70ZFP | TPCA8010-H | L2N60D | AOB266L | PZD502CYB | UPA1820GR

 

 
Back to Top

 


 
.