Справочник MOSFET. SM2014NSU

 

SM2014NSU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2014NSU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 135 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0195 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2014NSU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  sino
sm2014nsu.pdfpdf_icon

SM2014NSU

SM2014NSUN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/13.8A,DRDS(ON)= 19.5m (max.) @ VGS=4.5VSRDS(ON)= 27m (max.) @ VGS=2.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252-3(RoHS Compliant) ESD Protection. D (2)ApplicationsG (1) Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery PoweredSyste

 6.1. Size:286K  sino
sm2014nskp.pdfpdf_icon

SM2014NSU

SM2014NSKPN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 20V/13.8A,DDDDRDS(ON)= 19.5m (max.) @ VGS=4.5VRDS(ON)= 27m (max.) @ VGS=2.5VGPin 1 Reliable and RuggedSSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8(RoHS Compliant) ESD Protection.D (5, 6)ApplicationsG (4) Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Battery

 8.1. Size:969K  globaltech semi
gsm2014.pdfpdf_icon

SM2014NSU

GSM2014 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2014, N-Channel enhancement mode 20V/10A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/8A,RDS(ON)=17m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/5A,RDS(ON)=21m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularl

 9.1. Size:117K  st
esm2012.pdfpdf_icon

SM2014NSU

ESM2012DVNPN DARLINGTON POWER MODULE HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE VERY LOW R JUNCTION TO CASEth SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOADAREAS ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ISOLATED CASE (2500V RMS) EASY TO MOUNT LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCEINDUSTRIAL APPLICATIONS: MOTOR CONTROL UPS DC/DC & DC/AC CONVERTERSISOTOPINTERNAL SCHEMATIC DIAGRAMABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AP60WN4K9I | AON6560 | HGB012N08A | IPB65R150CFD | IRF3707SPBF | BL25N65-W | DMTH8012LPSW

 

 
Back to Top

 


 
.