SM2201NSQG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM2201NSQG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.66 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 142 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2A-6

Аналог (замена) для SM2201NSQG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2201NSQG даташит

 ..1. Size:184K  sino
sm2201nsqg.pdfpdf_icon

SM2201NSQG

SM2201NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D 30V/10.2A, D D RDS(ON) = 10.5m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 14m (max.) @ VGS =4.5V G S D Pin 1 D Reliable and Rugged DFN2x2-6 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) (1,2,5,6) DD DD 100% UIS Tested Applications (3)G Power Management in Notebook Computer, (4)S Portable

 9.1. Size:185K  sino
sm2202nsqe.pdfpdf_icon

SM2201NSQG

SM2202NSQE N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D 30V/8.4A, D D RDS(ON) = 15.5m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 21m (max.) @ VGS =4.5V G S D Pin 1 D Avalanche Rated TDFN2x2-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) DD DD (RoHS Compliant) 100% UIS Tested Applications (3)G Power Management in Notebook Computer,

 9.2. Size:179K  sino
sm2207psqg.pdfpdf_icon

SM2201NSQG

SM2207PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description -12V/-8.7A, S D D D RDS(ON) = 22m (max.) @ VGS =-4.5V RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS =-2.5V G S Pin 1 RDS(ON) = 38m (max.) @ VGS =-1.8V D D RDS(ON) = 57m (max.) @ VGS =-1.5V DFN2x2-6 Reliable and Rugged (1,2,5,6) Lead Free and Green Devices Available DD DD (RoHS Compliant) Applications (3)G

 9.3. Size:181K  sino
sm2204nsqg.pdfpdf_icon

SM2201NSQG

SM2204NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D 30V/7A, D D RDS(ON) = 23m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 31.5m (max.) @ VGS =4.5V G S D Pin 1 D Avalanche Rated DFN2x2-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) DDDD (RoHS Compliant) 100% UIS Tested Applications (3)G Load Switch HDD (4)S DC/DC Converter N

Другие IGBT... SM7A25NSUB, SM2004NSD, SM2006NSK, SM2014NSKP, SM2014NSU, SM2030NSU, SM2054NSD, SM2054NSV, 10N65, SM2202NSQE, SM2202NSQG, SM4831NAK, SM4832NSK, SM4834NSK, SM4836NSK, SM4838NSK, SM4839NSK