Справочник MOSFET. SM4843NSK

 

SM4843NSK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4843NSK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.08 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 11.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4843NSK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  sino
sm4843nsk.pdfpdf_icon

SM4843NSK

SM4843NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/15A,DD RDS(ON)= 6m(max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 8.4m(max.) @ VGS= 4.5VS Reliable and RuggedSSG Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8 (RoHS Compliant)( 5,6,7,8 )D D D DApplications(4) Power Management in Notebook Computer,G Portable Equipment and Batter

 9.1. Size:331K  sino
sm4842nsk.pdfpdf_icon

SM4843NSK

SM4842NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/10A,DD RDS(ON)= 10.6m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 12m (max.) @ VGS= 4.5VS RDS(ON)= 16.2m (max.) @ VGS= 2.5VSS 100% UIS and Rg tested GTop View of SOP-8 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available( 5,6,7,8 )D D D D (RoHS Compliant)(4)ApplicationsG Power Manage

 9.2. Size:279K  sino
sm4840nsk.pdfpdf_icon

SM4843NSK

SM4840NSKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/12A,DD RDS(ON)= 9.2m (max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 13.7m (max.) @ VGS= 4.5VS Integrated Schottky DiodeSSG Avalanche RatedTop View of SOP-8 Reliable and Rugged(5,6,7,8) Lead Free and Green Devices AvailableD D DD (RoHS Compliant)Applications(4) G Power Management in Notebook

 9.3. Size:177K  sino
sm4844nhk.pdfpdf_icon

SM4843NSK

SM4844NHKN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionDD 30V/15.5A,DD RDS(ON)= 4.4m(max.) @ VGS= 10V RDS(ON)= 6.8m(max.) @ VGS= 4.5VS Lower Qg and Qgd for high-speed switchingSSG Lower RDS(ON) to Minimize Conduction LossesTop View of SOP-8 Reliable and Rugged( 5,6,7,8 ) Lead Free and Green Devices AvailableD D D D (RoHS Compliant)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTB23C04J4 | 4N65KL-T2Q-R | TK3A60DA | BF1206F | TTP118N08A | IPI90R1K0C3

 

 
Back to Top

 


 
.