Справочник MOSFET. SM2225NSQG

 

SM2225NSQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2225NSQG
   Маркировка: 2225A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.8 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.156 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2A-6
 

 Аналог (замена) для SM2225NSQG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2225NSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  sino
sm2225nsqg.pdfpdf_icon

SM2225NSQG

SM2225NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 100V/2.7A,DD RDS(ON)= 156m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 176m (max.) @ VGS=4.5VGSDPin 1D ESD ProtectionDFN2x2A-6_EP 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged(1,2,5,6)DDDD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G For POE Power Primary Side Switch for

 9.1. Size:292K  sino
sm2222csqg.pdfpdf_icon

SM2225NSQG

SM2222CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/4.5A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 32m (max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 48.6m (max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 P-ChannelDFN2x2C-6_EP2 -20V/-2.7A, RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)= 127m (max.) @ VGS=-2.5V(3)D2(6)D1RDS(ON)= 230m (max.)

 9.2. Size:183K  sino
sm2223psqg.pdfpdf_icon

SM2225NSQG

SM2223PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD -12V/-11A,DDRDS(ON) = 13.8m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-2.5V SGPin 1DDRDS(ON) = 26m(max.) @ VGS =-1.8VRDS(ON) = 36m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G

 9.3. Size:217K  sino
sm2221csqg.pdfpdf_icon

SM2225NSQG

SM2221CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 12V/6.8A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 21m(max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 27m(max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 39m(max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 RDS(ON)= 62m(max.) @ VGS=1.5VDFN2x2-6 P-Channel -12V/-4.4A, RDS(ON)= 50m(max.) @ VGS=-4.5V(3)D2(6)D1 RDS(ON)= 65

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IRF613

 

 
Back to Top

 


 
.