Справочник MOSFET. SM2225NSQG

 

SM2225NSQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2225NSQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 30 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.156 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2A-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2225NSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:284K  sino
sm2225nsqg.pdfpdf_icon

SM2225NSQG

SM2225NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 100V/2.7A,DD RDS(ON)= 156m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 176m (max.) @ VGS=4.5VGSDPin 1D ESD ProtectionDFN2x2A-6_EP 100% UIS + Rg Tested Reliable and Rugged(1,2,5,6)DDDD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G For POE Power Primary Side Switch for

 9.1. Size:292K  sino
sm2222csqg.pdfpdf_icon

SM2225NSQG

SM2222CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 20V/4.5A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 32m (max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 48.6m (max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 P-ChannelDFN2x2C-6_EP2 -20V/-2.7A, RDS(ON)= 85m (max.) @ VGS=-4.5VRDS(ON)= 127m (max.) @ VGS=-2.5V(3)D2(6)D1RDS(ON)= 230m (max.)

 9.2. Size:183K  sino
sm2223psqg.pdfpdf_icon

SM2225NSQG

SM2223PSQG P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD -12V/-11A,DDRDS(ON) = 13.8m(max.) @ VGS =-4.5VRDS(ON) = 19m(max.) @ VGS =-2.5V SGPin 1DDRDS(ON) = 26m(max.) @ VGS =-1.8VRDS(ON) = 36m(max.) @ VGS =-1.5VDFN2x2-6 Reliable and Rugged(1,2,5,6)DD DD Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)Applications(3)G

 9.3. Size:217K  sino
sm2221csqg.pdfpdf_icon

SM2225NSQG

SM2221CSQG Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)Features Pin Description N-Channel 12V/6.8A,S2G2D1D1 RDS(ON)= 21m(max.) @ VGS=4.5VD2 RDS(ON)= 27m(max.) @ VGS=2.5VD2 RDS(ON)= 39m(max.) @ VGS=1.8VG1Pin 1S1 RDS(ON)= 62m(max.) @ VGS=1.5VDFN2x2-6 P-Channel -12V/-4.4A, RDS(ON)= 50m(max.) @ VGS=-4.5V(3)D2(6)D1 RDS(ON)= 65

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFN440 | KTJ6164S | NCEP068N10G | TF2301 | FDC6308P | SI7120ADN | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.