Справочник MOSFET. SM2416NSAN

 

SM2416NSAN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2416NSAN
   Маркировка: A16*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.83 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.74 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 9.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT23N
 

 Аналог (замена) для SM2416NSAN

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2416NSAN Datasheet (PDF)

 ..1. Size:258K  sino
 sm2416nsan.pdf pdf_icon

SM2416NSAN

SM2416NSAN N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/0.83A , RDS(ON)=700m (max.) @ VGS=4.5VSRDS(ON)=1000m (max.) @ VGS=2.5VGRDS(ON)=1600m (max.) @ VGS=1.8V Reliable and RuggedTop View of SOT-23N Lead Free and Green Devices AvailableD(RoHS Compliant) ESD ProtectionGApplications High Speed and Analog Switching Applications.S Low volta

 9.1. Size:163K  sino
 sm2413psan.pdf pdf_icon

SM2416NSAN

SM2413PSAN P-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD -20V/-3.5A,RDS(ON)= 73m (Max.) @ VGS=-4.5VSRDS(ON)= 110m (Max.) @ VGS=-2.5VGRDS(ON)= 193m (Max.) @ VGS=-1.8V Reliable and RuggedTop View of SOT-23N Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.