Справочник MOSFET. SM4021NAKP

 

SM4021NAKP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4021NAKP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1050 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4021NAKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  sino
sm4021nakp.pdfpdf_icon

SM4021NAKP

SM4021NAKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/100A,DDDD RDS(ON)= 1.6m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 2.7m (max.) @ VGS=6VG Reliable and RuggedPin 1SSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8 (RoHS Compliant)(5,6,7,8) Lower Conduction Loss for Excellent EfficiencyD D DDApplications(4) G SMPS Synchronous Rectification

 7.1. Size:297K  sino
sm4021nskp.pdfpdf_icon

SM4021NAKP

SM4021NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/100A,DDDD RDS(ON)= 1.5m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 2.15m (max.) @ VGS=4.5VG Reliable and RuggedPin 1SSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8 (RoHS Compliant)(5,6,7,8) Lower Conduction Loss for Excellent EfficiencyD D DDApplications(4) G SMPS Synchronous Rectificat

 9.1. Size:294K  sino
sm4028nskp.pdfpdf_icon

SM4021NAKP

SM4028NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 40V/60A, DDD RDS(ON)= 9m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 16m (max.) @ VGS=4.5VGPin 1S Reliable and RuggedSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8(RoHS Compliant)(5,6,7,8)D D DDApplications(4) G SMPS Synchronous Rectification Load Switch DC-DC Conversion S S S( 1, 2, 3 )

 9.2. Size:173K  sino
sm4027psu.pdfpdf_icon

SM4021NAKP

SM4027PSUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-74A,D RDS(ON)= 8m (max.) @ VGS=-20V RDS(ON)= 9.4m (max.) @ VGS=-10VS RDS(ON)= 15m (max.) @ VGS=-4.5VG HBM ESD capability level of 8KV typical 100% UIS + Rg TestedTop View of TO-252-2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHSDCompliant)Note : The diode

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: AT2N60S | RSS090P03FU6TB | BR80N08A | STA6610 | IRFE310 | APM4461K | IXFP18N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.