Справочник MOSFET. SM4028NSU

 

SM4028NSU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4028NSU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4028NSU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  sino
sm4028nsu.pdfpdf_icon

SM4028NSU

SM4028NSU N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 40V/60A, D RDS(ON)=8m (Max.) @ VGS=10VS RDS(ON)=13m (Max.) @ VGS=4.5VG Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of TO-252-3(RoHS Compliant)DApplicationsG Power Management in Desktop Computer or DC/DC Converters.SN-Channel MOSFETOrdering and Marking I

 0.1. Size:835K  cn vbsemi
sm4028nsuc-trg.pdfpdf_icon

SM4028NSU

SM4028NSUC-TRGwww.VBsemi.twN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, c Qg (Typ.) 100 % Rg and UIS TestedRoHS0.0050 at VGS = 10 V 85 COMPLIANT 40 80 nC0.0065 at VGS = 4.5 V 70APPLICATIONS Synchronous Rectification Power SuppliesDTO-252 GG D S SN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXI

 6.1. Size:294K  sino
sm4028nskp.pdfpdf_icon

SM4028NSU

SM4028NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 40V/60A, DDD RDS(ON)= 9m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 16m (max.) @ VGS=4.5VGPin 1S Reliable and RuggedSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8(RoHS Compliant)(5,6,7,8)D D DDApplications(4) G SMPS Synchronous Rectification Load Switch DC-DC Conversion S S S( 1, 2, 3 )

 9.1. Size:173K  sino
sm4027psu.pdfpdf_icon

SM4028NSU

SM4027PSUP-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description -40V/-74A,D RDS(ON)= 8m (max.) @ VGS=-20V RDS(ON)= 9.4m (max.) @ VGS=-10VS RDS(ON)= 15m (max.) @ VGS=-4.5VG HBM ESD capability level of 8KV typical 100% UIS + Rg TestedTop View of TO-252-2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHSDCompliant)Note : The diode

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: RJK1525DPF | AO6804A | MX2N4857 | SSF65R190SFD | WMJ38N60C2 | CHM5813ESQ2GP | AUIRFP2602

 

 
Back to Top

 


 
.