SM4040DSK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM4040DSK
Маркировка: 4040DS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 15.7 nC
Время нарастания (tr): 6.9 ns
Выходная емкость (Cd): 95 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOP8
SM4040DSK Datasheet (PDF)
sm4040dsk.pdf
SM4040DSKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1 40V/7A,D1D2D2RDS(ON) = 22m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 27m (max.) @ VGS = 4.5VS1 100% UIS + Rg TestedG1S2G2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8 (RoHS Compliant)(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2Applications Power Management in Note book.(2) (
sm4041dsk.pdf
SM4041DSKDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1 40V/7.8A,D1D2D2RDS(ON) = 14.5m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 18m (max.) @ VGS = 4.5VS1 100% UIS + Rg TestedG1S2G2 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOP-8 (RoHS Compliant)(8) (7) (6) (5)D1 D1 D2 D2Applications Car charger.(2) (4) Power Man
sm4042dsk.pdf
SM4042DSK Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD1 Channel 1D1D2D240V/6.5A,RDS(ON) = 18m (max.) @ VGS = 10VS1RDS(ON) = 25m (max.) @ VGS = 4.5VG1S2 Channel 2 (ESD Protection)G2Top View of SOP-840V/7.4A,RDS(ON) = 14m (max.) @ VGS =10V(8) (7) (6) (5)RDS(ON) = 18m (max.) @ VGS =4.5VD1 D1 D2 D2 100% UIS + Rg Tested Reliable an
gsm4048ws.pdf
GSM4048WS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4048WS, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)=10m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
